실리콘 프로세스 베이스
이 실리콘 프로세스 베이스는 다음과 같은 역할을 하도록 세심하게 설계되었습니다.안정적인 제조 플랫폼고급 전자 장치 통합을 위한 것입니다. 다음의 전체 스펙트럼을 지원합니다.2인치(50mm) ~ 12인치(300mm), 이러한 베이스는 가장 집중적인 작업을 견딜 수 있는{0}}고충실도 인터페이스를 제공하도록 설계되었습니다.열적 및 기계적 단계구조적 또는 전기적 무결성을 손상시키지 않고.
타협하지 않는 구조적 무결성:베이스는 다음과 같이 설계되었습니다.제작 중에 무결성을 유지합니다., 고온 확산 및 급속 열 처리(RTP) 중에도 미세-뒤틀림 및 격자 미끄러짐을 방지합니다.- 이러한 구조적 탄력성은 다중-레이어 정렬이 정확하게 유지되도록 보장합니다. 이는 고밀도 논리 및 개발에 매우 중요합니다.전원 IC(IGBT/MOSFET)아키텍처.
공정 변동 최소화:신뢰할 수 있는 재료 거동은 높은 수율 제조의 초석입니다.- 매우 균일한 방사형 저항률 프로파일을 유지하고 격자간 불순물을 최소화함으로써 당사의 공정 기반은예상치 못한 변동을 줄입니다식각률 및 박막 증착-. 이러한 일관성을 통해 다양한 생산 배치에 걸쳐 보다 예측 가능한 프로세스 창을 확보할 수 있습니다.
복잡한 경로와의 호환성:맞춤형복잡한 처리 경로, 기본은 현대 자동화 파운드리 내에서 원활하게 작동합니다. 우수한 표면 형태와 가장자리 프로파일링은 화학적-CMP(화학적 기계적 평탄화) 및 이온 주입 중에 장기적인 안정성을 지원하여 완성된 구성 요소가 자동차 및 산업 부문에서 가장 엄격한 신뢰성 표준을 충족하도록 보장합니다.
