FZ 실리콘 웨이퍼

FZ 실리콘 웨이퍼

FZ 실리콘 웨이퍼는 Float Zone 프로세스를 사용하여 제조되어 순도가 매우 높고 전기적 성능이 뛰어납니다.

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제품 소개

FZ 실리콘 웨이퍼

우리의 FZ 실리콘 웨이퍼는 꼼꼼하게Float Zone 공정을 사용하여 제조, 기존 도가니에서 재배한 재료의 한계를 뛰어넘는 오염-없는 결정 템플릿을 제공합니다.- 성장 중에 석영 도가니와의 접촉을 제거함으로써 이러한 기판은매우 높은 순도,-산소 및 탄소 농도가 매우 낮은 것이 특징입니다. 이러한 원자-수준의 청정도는 높은 항복 전압과 열로 인한 결함 최소화를 요구하는 장치의 기본 요구 사항입니다.

고전력 체제에서 탁월한 전기 성능-:진공- 기반 FZ 프로세스는 거의 완벽한- 방사상 저항률 구배를 허용하여 다음을 제공합니다.우수한 전기적 성능고전류 애플리케이션용- 이러한 균질성은 안정적인 캐리어 이동성과 기본-층 저항에 대한 정밀한 제어를 보장하여 이러한 웨이퍼를 제조의 표준으로 만듭니다.IGBT, 사이리스터 및 고{0}}전압 전력 MOSFET.

타협하지 않는 소수 캐리어 수명:산소- 관련 복합체와 금속 불순물이 없기 때문에 당사의 FZ 웨이퍼는 매우 긴 소수 캐리어 수명을 제공합니다. 이로 인해 스위칭 손실과 누설 전류가 크게 감소하여 고급 전력-전자 모듈의 전반적인 에너지 효율성과 열 안정성이 향상됩니다.

고급 FEOL을 위한 열기계적 탄력성:집중적인-라인-라인 시퀀스에 최적화된 FZ 소재는 고온-확산 및 긴-사이클 어닐링 중에 구조적 무결성을 유지합니다. 우수한 격자 완벽성은 슬립-라인 형성과 마이크로{7}}뒤틀림을 방지하여 가장 까다로운 산업 및 자동차 반도체 라인에 견고하고 안정적인 기판을 제공합니다.

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