CZ 실리콘 웨이퍼

CZ 실리콘 웨이퍼

제품 설명:

우리의 CZ 실리콘 웨이퍼는초크랄스키(Czochralski) 방법을 사용하여 생산됨, 가장 까다로운 전자 환경에 최적화된 고순도 결정 플랫폼을{0}}제공합니다. 고급 열장 시뮬레이션과 수정-풀링 자동화를 구현함으로써 이러한 기판은 다음과 같은 이점을 제공합니다.우수한 결정 균일성잉곳 전체에 걸쳐. 이 공정을 통해 다음과 같은 큰-직경의 웨이퍼-를 생성할 수 있습니다.2인치 ~ 12인치-미크론 미만 장치 확장에 필요한 필수 기계적 및 화학적 안정성을 제공하는-

반도체 응용 분야의 저항 제어:정밀한 Dopant 분포 관리를 통해 이러한 Wafer는제어된 저항력반경 방향 및 세로 방향 공차가 엄격합니다. 이러한 전기적 동질성은 트랜지스터 임계값 전압이 웨이퍼 표면 전체에서 일관되게 유지되도록 보장하여 고밀도를 위한 이상적인 기반이 됩니다.-로직, 메모리, CMOS아키텍처.

산소 제어를 통한 고유 게터링:CZ 공정의 특징적인 장점 중 하나는 격자간 산소(Oi) 농도를 관리하는 능력입니다. 이는고유 게터링(IG), 여기서 산소 침전물은 금속 불순물에 대한 내부 트랩 역할을 합니다. 이 자체-정화 메커니즘은 오염 물질이 활성 장치 영역에 도달하는 것을 방지하여 집적 회로의 전반적인 신뢰성과 성능을 크게 향상시킵니다.

탁월한 표면 및 기하학적 충실도:가장 엄격한 SEMI 표준을 충족하도록 설계된 당사의 CZ 웨이퍼는 서브-마이크론을 특징으로 합니다.총 두께 변화(TTV)매우-낮은 표면 거칠기(Ra)를 제공합니다. 이러한 기하학적 정밀도는 중요한 포토리소그래피 단계에서 안정적인 초점 깊이(DOF)-를 보장하여 복잡한 다{4}층 상호 연결 및 게이트 구조의 일관된 제작을 지원합니다.

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