실리콘 에피택시 기판

실리콘 에피택시 기판

이 실리콘 에피택시 기판은 꼼꼼하게에피택셜 층 성장을 위해 설계됨, 고급 전력 및 로직 장치 통합을 위한 고순도{0}}결정 템플릿 역할을 합니다. 정밀한 Czochralski(CZ) 당김 및 매우 깨끗한 연마 시퀀스를 사용하여 설계된 당사의 기판은 타협할 수 없는 표면 환경을 보장합니다. 이러한 원자-수준의 매끄러움은 차세대 반도체에서 고품질-동형 에피택셜 및 헤테로에피택셜 증착을 달성하기 위한 기본 요구 사항입니다.

고품질 증착을 위해 최적화된 표면:-그만큼제어된 표면 및 결정 방향이상적인 핵생성 환경을 제공하도록 최적화되었습니다. 엄격하게 관리함으로써끄기-절단 각도(오류) 밀리도 정밀도로 단계적-흐름 성장 메커니즘을 촉진합니다. 이는 격자 불일치를 최소화하고 적층 결함 및 스레딩 전위의 형성을 방지합니다. 이는 후속 에피-층의 전기적 특성을 안정화하는 데 필수적입니다.

장치 절연을 위한 제어된 저항:전력 IC 및 아날로그 애플리케이션용으로 특별히 설계된 이 기판은 다음을 제공합니다.안정적인 재료 특성매우 균일한 도펀트 프로파일을 가지고 있습니다. 이를 통해 기판--에피 인터페이스에 대한 정밀한 제어가 가능해지며 장치 절연이 향상되고 고주파수 및 고전압 환경에서 기생 용량이 감소됩니다.-

고순도-열 탄력성:각 기판은 자동 도핑 및 열로 인한 변형을 방지하기 위해 격자간 산소 및 금속 불순물에 대한 엄격한 허용 오차를 적용합니다. 우수한 기계적 강도최소한의 변형으로 여러 처리 단계를 지원합니다., 고온-CVD(화학 기상 증착) 및 급속 열 처리(RTP) 주기 동안 기하학적 충실도를 유지합니다.

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