실리콘 가공 웨이퍼

실리콘 가공 웨이퍼

이 실리콘 가공 웨이퍼 시리즈는 꼼꼼하게복잡한 제조 단계를 위해 설계됨, 가장 까다로운 FEOL(프런트{0}}라인-오브라인(FEOL) 시퀀스에 대한 탄력적인 호스트 역할을 합니다. 다음과 같은 전체 산업 스펙트럼을 지원합니다.2인치(50mm) ~ 12인치(300mm), 이러한 기판은 최신 장치 스케일링의 반복 주기를 통해 절대적인 격자 안정성과 표면 평탄도를 유지하도록 설계되었습니다.

뛰어난 열 탄력성:웨이퍼는 다음과 같이 설계되었습니다.고온 공정 중에 무결성 유지-예를 들어 깊은-우물 확산 및 급속 열 어닐링(RTA) 등이 있습니다. 격자간 산소 농도를 최적화하고 고급 열 응력-완화 프로토콜을 구현함으로써 기판은 격자 미끄러짐과 마이크로{3}}뒤틀림을 방지하여 집중적인 열 예산 하에서 마이크론 이하의 특성이 -살아남을 수 있도록 보장합니다.

수율-주도적 성과: 균일한 특성방사형 저항률 및 표면 형태가 크게 향상됨수율 개선이온 주입 및 박막 증착에 대한 예측 가능한 반응을 제공함으로써{0}} 이러한 균질성은 전체 웨이퍼 표면에서 전기 매개변수가 일관되게 유지되도록 보장하여 고밀도에서 "웨이퍼-의 가장자리" 성능 저하 발생을 최소화합니다.-전력 IC 및 아날로그장치.

정밀 패터닝 지원:그만큼웨이퍼는 정밀 에칭 및 리소그래피를 지원합니다.서브-미크론 총 두께 변화(TTV)와 탁월한 국부 평탄도를 제공합니다. 이러한 기하학적 충실도는 고해상도 스캐너의 안정적인-초점 심도(DOF)를 촉진하여-복잡한 게이트 구조와 높은-종횡비-비아를 일관되게 형성할 수 있게 해줍니다. 엄격한 SEMI 표준을 준수하여최신 반도체 라인의 요구 사항을 충족합니다.자동화된 처리 및 높은-처리량을 위한 것입니다.

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