실리콘 웨이퍼 형태

실리콘 웨이퍼 형태

당사의 반도체-등급 실리콘 웨이퍼 형태는 탁월한 성능을 제공하도록 세심하게 설계되었습니다.격자 무결성고밀도 산업 처리용- 다음의 전체 스펙트럼을 지원하도록 설계되었습니다.2인치(50mm) ~ 12인치(300mm), 이러한 기판은 서브마이크론 제조를 위한{0}}고충실도 플랫폼 역할을 하여 모든 원자층이 최종 칩의 신뢰성에 기여하도록 보장합니다.

차별화된 기술적 장점:

예측 가능한 열 동작:격자간 산소 및 탄소 함량에 대한 엄격한 임계값을 유지함으로써 당사의 웨이퍼는격자 미끄러짐 및 열 강수휘발성이 높은-진공 어닐링 및 급속 열 처리(RTP) 중. 이러한 예측 가능한 동작은 제조 효율성의 초석입니다.전원 IC(IGBT/MOSFET)생산.

전체-직경 기하학적 일관성:크기에 관계없이 모든 양식이 검증되었습니다.서브-미크론 총 두께 변화(TTV) 및 변형. 이러한 기하학적 정밀도는 고급 포토리소그래피에서 초점 드리프트를 최소화하며, 이는 공정 드리프트의 상당한 감소 및 웨이퍼{1}}레벨 수율 향상과 직접적으로 연관됩니다.

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