낮은-결함 실리콘 웨이퍼

낮은-결함 실리콘 웨이퍼

이 프리미엄 실리콘 웨이퍼는 결정질 완벽성에 끊임없이 초점을 맞춰 설계되었으며, 세심하게 설계되었습니다.결정 결함 및 표면 결함 감소. 고급 용융-실리콘 여과 및 정밀-제어 CZ(Czochralski) 당김을 구현함으로써 COP(Crystal Originated Pits) 및 LDC(Large Dislocation Cluster)와 같은 일반적인 격자 붕괴를 제거합니다. 이러한 원자{4}}수준의 무결성은 차세대 나노미터 미만 스케일링을 위한 기본 요구 사항으로, 복잡한 CMOS 및 아날로그 회로를 위한 깨끗한 템플릿을 제공합니다.

향상된 장치 수율 및 신뢰성:점결함 및 산소 직접 석출 최소화반도체 제조에서 장치 수율 및 신뢰성 향상. 활성 영역 전체에 걸쳐 결정 유래 입자(COP- 없음)를 엄격하게 관리함으로써 당사의 웨이퍼는 국부적인 전기장 강화를 방지하여게이트 산화물 무결성(GOI)로직 및 메모리 구성요소의 초기 수명 실패 위험을 줄여줍니다.-

암전류 및 기생 잡음 최소화:고감도 이미지 센서 및 전력 IC용으로 특별히 최적화된 이-결함 기판은 캐리어 트랩핑 센터를 줄입니다. 그 결과 암전류와 기생 잡음이 크게 낮아져 고속 스위칭 환경에서도-고충실도 신호 처리와 탁월한 열 안정성이 보장됩니다.

고급 리소그래피를 위한 탁월한 표면 무결성:가장 엄격한 SEMI 표준을 준수하는 당사의 웨이퍼는 초-저온 특성을 갖추고 있습니다.광점 결함(LPD)및 -옹스트롬 이하의 표면 거칠기($R_a$). 이러한 기하학적 및 화학적 순도는 안정적인-초점 깊이(DOF)를 보장하고 중요한 EUV/DUV 포토리소그래피 중에 패턴 왜곡을 방지하여 결함-관련 수율 손실 없이 나노미터{5}}크기 특징을 일관되게 제작할 수 있게 해줍니다.

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