Ultra-순도 반도체 실리콘 크리스탈 잉곳

Ultra-순도 반도체 실리콘 크리스탈 잉곳

당사의 초{0}}순도 반도체 실리콘 결정 잉곳은 고진공 탈기 및 플라즈마 정제와 결합된 고급 Czochralski 성장 방법을 사용하여 설계되었습니다.-

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제품 소개

Ultra-순도 반도체 실리콘 크리스탈 잉곳

당사의 초{0}}순도 반도체 실리콘 결정 잉곳은 고진공 탈기 및 플라즈마 정제와 결합된 고급 Czochralski 성장 방법을 사용하여 설계되었습니다.- 금속 불순물을 ppb 미만 수준으로 감소시키고 다운스트림 확산 최적화를 위해 맞춤화된 산소 제어 기능을 갖춘 이 잉곳은 뛰어난 구조적 무결성과 전기적 일관성을 제공합니다. 최첨단 반도체 플랫폼을 지원하도록 설계된 이 제품은 저항 드리프트를 최소화하고 캐리어 수명을 안정적으로 유지하며 웨이퍼 수율을 향상시킵니다. 이 재료는 로직 IC, IGBT, 전력 MOSFET, 메모리 칩, RF 모듈 및 실리콘- 기반 포토닉스 개발에 널리 사용됩니다. 200mm/300mm 웨이퍼 생산 라인 및 새로운 -직경의 초박형 웨이퍼 처리와의 호환성을 통해 팹은 장치당 비용을 줄이는 동시에 생산량과 장기적인 신뢰성을 높일 수 있습니다.{15}} 고주파 통신, AI 컴퓨팅 칩, 차세대 자동차 전자 장치에 이상적입니다.-

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