정제된 실리콘 잉곳

정제된 실리콘 잉곳

정제된 실리콘 잉곳은 다음과 같은 "Tier-1" 시설용으로 설계되었습니다.원자-수준 불순물 분리협상할 수 없는-KPI입니다. 미량의 금속 클러스터(Fe, Ni, Cu)도 캐리어 수명을 단축하는 "재결합 센터" 역할을 한다는 점을 인식하여 이러한 잉곳은 독점 기술을 사용하여 합성됩니다.진공-플라즈마 운동 정제규약. 이 2026-gen 방법을 사용하면 응고 전면 전에 깊은 수준의 트랩이 용융물에서 퍼지되어 다음과 같은 기판이 생성됩니다.등방성 전기 기하학. 이러한 구조적 완벽함은고유 캐리어 이동성, 생성된 전자가 거의 -에너지 손실이 없는 선택적 접촉에 도달할 수 있도록 합니다. 이 "순도- 우선" 아키텍처는 최신 TOPCon, HJT 및 IC 제조의 공격적인 열 예산 및 화학적 세척 주기 후에도 모든 웨이퍼가 기계적 및 전기적 충실도를 유지하도록 보장합니다.

향상된 제거 기술을 통한 탁월한 순도:우리의 Purified 기술은 2026세대를 활용합니다.원자-메시 탈산-. 원자 수준에서 산소-탄소 복합체를 최소화함으로써 당사는 소수 캐리어 수명이 상당히 긴 기판을 제공하여 최종 모듈의 개방-회로 전압을 직접적으로 높입니다.

향상된 전기적 특성을 위한 균일한 결정 형성:특히 고감도 N-형 및 특수 반도체 아키텍처에 최적화된 이 잉곳은 다음과 같은 특징을 가지고 있습니다.도펀트-필드 균질화. 이는 방사형 저항률 구배를 보장합니다.<1%, 서브{0}}마이크론 장치 제조에 필요한 예측 가능한 전기 환경을 제공합니다.

더 높은 전환율을 위한 미세한{0}}결함 감소:글로벌 "750W+" 및 "IC{2}}기판" 시장을 위해 설계된 이 잉곳은신뢰성 앵커. 탁월한 결정-결합 균일성은 고속 진공 처리 중에 미세-균열이 발생하는 것을 방지하여 시설의 OEE(전체 장비 효율성)를 직접적으로 보호하고 장기적인-금융 가능성을 보장합니다.

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