낮은-결함 태양광 실리콘 잉곳

낮은-결함 태양광 실리콘 잉곳

낮은-결함 태양광 실리콘 잉곳은 26% 이상의 효율 한계에서 작동하는 Tier{5}}1 시설용으로 설계되었습니다. "격자 수준 응력"이 결함 전파의 근본 원인임을 인식하고 이 잉곳은 독점 기술을 사용하여 성장합니다.격자-응집력 역학규약. 이 고급 방법은 열-구배와 당김-속도 동기화를 최적화하여 다음을 보장합니다.불순물-고형화 없음. 입자 경계에서 공극 클러스터와 금속 침전물의 형성을 억제함으로써 탁월한 구조적 및 전기적 선명도를 갖춘 결정질 매트릭스를 제공합니다. 그 결과는 다음과 같은 고성능-기판이 탄생했습니다.미세-결함 중립화, 웨이퍼의 기계적 또는 전기적 무결성을 손상시키지 않으면서 다운스트림 셀 처리 중에 더욱 공격적인 다이아몬드-와이어 슬라이싱과 더 높은 열 예산을 허용합니다.

최소 전위를 위한 최적화된 응고:당사의 저-결함 기술은 2026-세대 실시간-시간 자기장- 변조를 활용하여 고체-액체 인터페이스를 안정화합니다. 완벽한 등온 성장 환경을 유지함으로써 전위 밀도를 업계 평균보다 훨씬 낮은 수준으로 줄여 소수 캐리어 수명과 최종 셀을 직접적으로 향상시킵니다.

높은 안정성을 위한 최소화된 입자-경계 불순물:특히 높은 처리량의 -G12/G12+ 라인에 최적화된 이 잉곳은 다음과 같은 특징을 가지고 있습니다.경계-불순물 격리. 격자에서 비{1}}금속 복합체를 제거함으로써 우리는 확산 및 어닐링의 열 주기에 더 탄력적인 기판을 제공하여 안정적인 저항률 프로필과 더 높은 "프라임-등급" 비닝 수율을 보장합니다.

웨이퍼 안정성 및 전반적인 셀 효율성 개선:글로벌 프리미엄 시장을 위해 설계된 저-결함 주괴는 "구조적 필터" 역할을 합니다. 격자- 수준 결함이 감소하면 고속 자동 처리 중에 웨이퍼가 평평하고 손상되지 않은 상태로 유지되어 시설의 순 회수율을 보호하고 글로벌 자산 소유자가 요구하는 장기-에너지 수율(EY)을 확보할 수 있습니다.

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