Sic 기판
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실리콘 카바이드(SiC) 기판은 실리콘과 탄소를 결합한 매우 순수한 재료로 만들어집니다. 생산 공정은 PVT(Physical Vapor Transport)라는 고온 기술로 시작됩니다. 이 공정에서 실리콘과 탄소 분말은 증기로 변한 다음 냉각되어 부울이라는 큰 결정을 형성합니다.

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제품 소개
제품 소개

 

실리콘 카바이드(SiC) 기판은 실리콘과 탄소를 결합한 매우 순수한 재료로 만들어집니다. 생산 공정은 PVT(Physical Vapor Transport)라는 고온 기술로 시작됩니다. 이 공정에서 실리콘과 탄소 분말은 증기로 변한 다음 냉각되어 부울이라는 큰 결정을 형성합니다.
그런 다음, 볼은 웨이퍼라고 알려진 얇은 조각으로 자르고 매끄럽고 반사되도록 연마합니다. 이러한 신중한 생산을 통해 각 SiC 기판이 고온을 견딜 수 있고 전기를 잘 전달하며 매우 견고합니다. 이러한 특징은 전력 장치, 고온에서 작동하는 센서, 혹독한 환경에서 사용되는 시스템과 같이 힘든 조건에서 작동해야 하는 전자 제품에 사용하기에 이상적입니다. 실리콘 카바이드 기판은 전자 장치를 더 효율적이고 내구성 있고 강력하게 만드는 데 도움이 됩니다.

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자주하는 질문

 

질문: Si와 SiC 웨이퍼의 차이점은 무엇인가요?

A: Si(실리콘) 웨이퍼와 SiC(실리콘 카바이드) 웨이퍼의 주요 차이점은 재료입니다. 실리콘은 순수한 원소인 반면, 실리콘 카바이드는 실리콘과 탄소의 화합물입니다. SiC 웨이퍼는 내열성, 내압성, 전자 이동성 측면에서 더 나은 성능을 발휘하여 더 까다로운 응용 분야에 적합합니다.

질문: 6H-SiC의 격자 매개변수는 무엇입니까?

A: 6H-SiC는 격자 상수가 약 3.081 Å(a) 및 15.117 Å(c)인 육각형 결정계를 가지고 있습니다. 독특한 결정 구조는 우수한 물리적 및 화학적 특성을 제공하며 고성능 반도체에 널리 사용됩니다.

질문: 반도체에서 SiC는 무엇을 의미하나요?

A: 반도체에서 SiC는 높은 열전도도, 높은 전자 이동도, 높은 내열성과 같은 뛰어난 특성으로 인해 가치가 있습니다. 이러한 특성으로 인해 SiC는 전기 자동차 및 우주 기술에 사용되는 것과 같이 극한 조건에서 작동할 수 있는 효율적이고 내구성 있는 전자 장치를 제조하는 데 이상적입니다.

 

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