고도로 도핑된 실리콘 웨이퍼
당사의 고도로 도핑된 실리콘 웨이퍼는 낮은 저항과 향상된 전기 전도성이 필요한 응용 분야를 위해 설계되었습니다. 붕소(P형) 또는 인(N형)과 같은 고농도의 도펀트 원소를 도입함으로써 이 웨이퍼는 저항률을 크게 줄여 고급 전자 부품, 전력 장치 및 고성능 회로에 이상적입니다.
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제품 소개
제품개요
당사의 고도로 도핑된 실리콘 웨이퍼는 낮은 저항과 향상된 전기 전도성이 필요한 응용 분야를 위해 설계되었습니다. 붕소(P형) 또는 인(N형)과 같은 고농도의 도펀트 원소를 도입함으로써 이 웨이퍼는 저항률을 크게 줄여 고급 전자 부품, 전력 장치 및 고성능 회로에 이상적입니다.
주요 특징
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낮은 저항력 |
당사의 고도로 도핑된 웨이퍼는 도펀트 농도에 따라 일반적으로 P형 및 N형 애플리케이션의 경우 {{0}}.001 ohm-cm ~ 0.1 ohm-cm 범위로 매우 낮은 저항률을 제공합니다. |
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도펀트 유형 |
• P형: 붕소(양전하 캐리어용) • N형: 인, 비소, 안티몬(음전하 캐리어용) |
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크리스탈 방향 |
<100>, <111>, <110>(사용자 정의 방향 가능) |
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사용 가능한 직경 |
2인치, 4인치, 6인치, 8인치, 12인치 |
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품질 등급 |
프라임 / 테스트 / 더미 |
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성장 방법 |
CZ(초크랄스키) / FZ(플로트 존) |
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두께 옵션 |
275 μm, 380 μm, 525 μm, 625 μm, 맞춤형 두께 제공 가능 |
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표면 마감 |
P/E(광택/에칭), P/P(광택/광택), E/E(에칭/에칭) |
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총 두께 변화(TTV) |
표준 < 10μm; 고급 < 5μm |
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활/워프 |
표준 < 40μm; 고급 < 20μm |
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