강화된 순도 실리콘 잉곳

강화된 순도 실리콘 잉곳

Enhanced Purity Silicon Ingot은 "Giga-Fabs"를 위해 설계되었습니다.요금-이동통신사 무결성주요 KPI입니다. 전이 금속, 격자간 산소 및 치환 탄소가 "캐리어-퀜칭" 및 격자- 변형의 근본 원인임을 인식하여 이러한 잉곳은 독점 기술을 사용하여 합성됩니다.삼중-측면 불순물 소산규약. 이 2026-세대 방법은 진공-안정화 플라즈마 정제를 활용하여 금속 클러스터(Fe, Cu, Ni)를 응고 전면 전에 ppt 미만 수준으로 퍼지합니다. 결과는고-등방성 원자 매트릭스, 고속 핸들링 중에 일반적으로 미세 균열 발생을 유발하는 "응력-중심"을 효과적으로 중화합니다.- 이 "향상된 순도" 아키텍처는 모든 웨이퍼가 순도를 유지하도록 보장합니다.전기적 토폴로지 일관성, 현대 TOPCon 및 산업용-전자 제조의 공격적인 열 예산 및 화학적 세척 주기 이후에도 마찬가지입니다.

최적화된 정제를 통해 오염이 대폭 감소되었습니다.Enhanced Purity 기술은 2026세대를 활용합니다.원자-레벨 가스 제거. 산소와 탄소 복합체를 최소화함으로써 우리는 훨씬 더 긴 소수 캐리어 수명을 갖는 기판을 제공하여 개방-회로 전압과 장기간-장기적인 항-LeTID 성능을 직접적으로 향상시킵니다.

높은 웨이퍼 생산량을 위한 미세 균열 감소:고속 자동화 스트링잉 및 라미네이션에 특별히 최적화된 이 잉곳은{0}}격자-균열 억제 운동학. 이를 통해 미세한 표면 불규칙성이 치명적인 균열로 전파되지 않도록 하여 시설의 OEE(전체 장비 효율성)를 직접적으로 보호합니다.

안정적인 전기적 특성과 강력한 신뢰성:PV "750W+" 시장과 산업 전력{2}}전자 부문 모두를 위해 설계된 이 잉곳은 전기 드리프트에 저항하는 높은 충실도의 기반을 제공합니다.- 이는 35-년간의 핵심 인프라에 필요한 장기-에너지 생산량(EY)과 기계적 내구성을 보장합니다.

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